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型号：24<b class='flag-s-7'>NM65</b>N-VB TO220F 品牌：微碧

### 一、24NM65N-VB产品简介24NM65N-VB是VBsemi公司推出的一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于高压和高电流的应用。该器件具有低导通电

2024-07-10 15:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：54<b class='flag-s-7'>NM65</b>ND-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介**54NM65ND-VB TO247**54NM65ND-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO247封装。它具有漏源极电压（VDS）为650V的特性，适用于中高

2024-11-14 13:45 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：20<b class='flag-s-7'>NM65</b>N-VB TO220 品牌：微碧

### 一、产品简介**型号：20NM65N-VB TO220**VBsemi的20NM65N-VB TO220是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术制造。它具有

2024-07-09 16:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：14<b class='flag-s-7'>NM65</b>N-VB TO247 品牌：微碧

### 14NM65N-VB TO247 产品简介14NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO247 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压 (VDS

2024-07-06 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：11<b class='flag-s-7'>NM65</b>N-VB TO220F 品牌：微碧

### 11NM65N-VB TO220F 产品简介11NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压

2024-07-05 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：24<b class='flag-s-7'>NM65</b>N-VB TO220 品牌：微碧

### 一、产品简介24NM65N-VB TO220 是 VBsemi 生产的一款高性能单N沟道MOSFET，封装为TO220，适用于低压、高功率的电源开关和电机驱动等应用。采用沟槽技术

2024-07-10 15:42 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：19<b class='flag-s-7'>NM65</b>N-VB TO220F 品牌：微碧

### 产品简介19NM65N-VB是一款单路N沟道场效应管（MOSFET），采用平面技术，具有高达650V的漏极-源极电压（VDS）和20A的漏极电流（ID）能力。该器件采用TO220F封装

2024-07-08 17:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：15<b class='flag-s-7'>NM65</b>N-VB TO220F 品牌：微碧

### 产品简介**型号：15NM65N-VB TO220F**15NM65N-VB TO220F是VBsemi生产的一款高性能N沟道功率MOSFET。采用了Plannar技术，具有低导通电阻和高

2024-07-06 17:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：24<b class='flag-s-7'>NM65</b>N-VB TO247 品牌：微碧

### 24NM65N-VB TO247 产品简介24NM65N-VB TO247 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI 技术制造，具有高漏极电压和电流处理能力。封装

2024-07-10 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：19<b class='flag-s-7'>NM65</b>N-VB TO220 品牌：微碧

VBsemi 19NM65N-VB TO220 MOSFET产品简介：19NM65N-VB TO220是一款单N沟道场效应管，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS

2024-07-08 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号