；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥
2020-04-30 15:13
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高 性能适配器等。
2023-09-15 08:16
0前言家用逆变焊机因其体较小，操作方便，市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点，一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insul
2014-08-13 09:25
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00
BM2P033 PWM AC / DC变换器的典型应用电路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）为包含电源插座的所有产品提供了最佳系统。 BM2PXX3支持隔离和非隔离器件，可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM2PXX3内置高压启动电路，可承受650V电压，有助于实现低功耗
2020-06-05 09:15
。 BM1Pxxx支持隔离和非隔离器件，可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM1Pxxx内置高压启动电路，可承受650V电压，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52
描述此参考设计是一款专为低频（基于变压器）单相 UPS（由 12V 电池供电）设计的 650W 逆变器功率级。此设计凭借采用 SON5x6 封装且具有极低 RDS(on) 和低栅极电荷 (Qg
2018-10-18 15:10
SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
2021-04-23 07:04
1 横向双扩散型场效应晶体管的结构功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor）有三个管脚，分别为
2016-10-10 10:58
