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DK075G是一款高度集成了650V/160mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK075G检测功率管漏极和源极之间的电压（V DS ）,当
2024-01-05 18:02 腾震粤电子 企业号
产品概述：DK045G 是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK045G 检测功率管漏极和源极之间的电压（V
2023-12-16 12:01 腾震粤电子 企业号
产品概述：DK065G 是一款高度集成了 650V/260mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK065G 检测功率管漏极和源极之间的电压（V
2023-12-16 12:04 腾震粤电子 企业号
SP9683E是一款集成GaN功率器件的高频准谐振反激控制器，集成 650V GaN 功率器件，适合设计在离线式USB-PD和USB Type-C等快速充电器和电源供应器方案，待机功耗小于75mW
2023-10-21 15:43 深圳上大科技 企业号
使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右，一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率
2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
一、概述 该访案是5V输出非隔离电源控制芯片，使用了离线式集成电源控制芯片AP8007,典型耐压500V。PN8007集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET
2024-11-29 16:53 东莞市中铭电子 企业号
PN8360电源IC是高精度CC/CV原边反馈交直流转换器，内置650V功率MOSFET，工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431可省光耦和TL431，提供了全面的自恢复保护功能，全电压输入范围
2021-11-01 15:08 深圳市骊微电子科技 企业号
PN8611集成超低待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件超精简的充电器、适配器和内置电源。PN8611为
2021-11-08 16:16 深圳市骊微电子科技 企业号
一、概述PN6795D开关电源芯片方案集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795D开关电源芯片方案为
2024-12-12 09:23 东莞市中铭电子 企业号
这个功率MOSFET是使用米特克的先进的屏蔽栅MOSFET技术。这项先进的技术是特别定制的为了最大限度地减少导通状态电阻，提供优越的开关性能优良，并能承受高能脉冲中的冲击雪崩和换向模式。这些设备很好
2024-09-26 11:19 腾震粤电子 企业号
