JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块，采用沟槽栅场终止技术
2025-01-16 14:16
650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告，电动汽车充电市场的增长将非常强劲，高达59%。
2022-08-02 15:06
新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电
2024-08-15 16:34
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代
2018-08-20 17:26
IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V
2023-12-26 13:31
该产品为CE认证的XT60插头，身材迷你。插头采用真金镀层以及香蕉插十字开槽设计，拥有更大接触面积，可以承受恒定30A峰值60A的电流。
2019-12-31 16:04
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的
2022-08-01 10:11
为满足电动汽车市场的需求，英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 MOSFET CFD7A系列。这一产品经过专门优化，可以满足电动汽车应用 （如车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器和辅助电源）的要求。
2020-05-31 09:15
树墙修剪机的电机驱动电路想在市场中获得竞争优势，选择优质的IGBT是非常重要的。市场中FHF20T60A的IGBT单管是优质代换NCE20TD60BF参数型号，帮助提高
2023-05-30 17:06
NSG6000是650V电压功率MOSFET和IGBT半桥栅驱动器。自带死区保护、高低侧互锁功能，防止高低侧直通。具有较强的VS负偏压、负过冲耐受能力。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有
2025-01-07 10:58
