全新的650V IGBT4 [1]采用沟槽MOS-top-cell薄片技术和场终止概念，如图1所示。沟槽与
2018-12-07 10:16
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型
2020-04-30 15:13
罗姆(ROHM)是半导体和电子零部件领域的著名生产商，其近期推出了TO-247N封装的RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）——RGS60TS65D
2019-04-09 06:20
0前言家用逆变焊机因其体较小，操作方便，市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点，一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。
2014-08-13 09:25
`描述此设计用于 60A 两相同步降压转换器，整合了 TPS40428 PMBus 无驱动器 PWM 控制器和 CSD95372B 智能功率级。此设计接受 10V 至 14V 的输入并提
2015-03-12 11:24
全新的CoolMOS™ 650V CFD2器件代替T2 和 T3晶体管，无需采用D2 至D5的二极管。 图8 将SPD07N60C3作为开关和D2至 D5二极管使用时，在T3晶体管关断阶段的电路波形
2018-12-03 13:43
电子设备和工业设备。目前推出的650V耐压产品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）
2022-07-27 10:27
with size(...)主要特色8V to 14Vin, 1V/60A outPeak efficiency 91% at 1Vout, 300kHzExcellent thermal
2018-10-08 09:36
描述此设计用于 60A 两相同步降压转换器，整合了 TPS40428 PMBus 无驱动器 PWM 控制器和 CSD95372B 智能功率级。此设计接受 10V 至 14V 的输入并提
2018-12-20 14:25
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5
2018-10-23 16:21
