JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块，采用沟槽栅场终止技术
2025-01-16 14:16
12V to 1.5V 10A and 1.8V 10A converter
2008-10-22 18:20
上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代TrenchField-Stop技术的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200
2022-05-19 09:54 深圳市致知行科技有限公司 企业号
650 V 场截止 IGBT 如何帮助将厨房烹饪提升到一个全新的水平。 电磁炉制造商正在努力增加最大功率并减少烹饪时间，同时实现高系统效率以满足严格的能源之星标准。
2021-06-01 14:56
森国科近期推出的650V/60A IGBT（型号：KG060N065LD-R），凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能，在电力电子领域引起了广泛关注。
2024-10-17 15:41
森国科推出的650V/6A IGBT（型号：KG006N065SD-B）在风扇、泵和吸尘器等家电领域的应用上做到了高效电机驱动和精准控制。
2024-11-13 16:36
新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电
2024-08-15 16:34
瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体（IGBT）系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250
2012-07-31 11:34
与600V IGBT3一样，新的650V IGBT4也是采用了沟槽的MOS-top-cell薄片技术和
2018-10-26 09:17
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代
2018-08-20 17:26
