JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块，采用沟槽栅场终止技术
2025-01-16 14:16
新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电
2024-08-15 16:34
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代
2018-08-20 17:26
IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V
2023-12-26 13:31
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的
2022-08-01 10:11
LTM4612两相并联12V/10A设计
2014-05-26 11:56
NSG6000是650V电压功率MOSFET和IGBT半桥栅驱动器。自带死区保护、高低侧互锁功能，防止高低侧直通。具有较强的VS负偏压、负过冲耐受能力。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有
2025-01-07 10:58
为满足电动汽车市场的需求，英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 MOSFET CFD7A系列。这一产品经过专门优化，可以满足电动汽车应用 （如车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器和辅助电源）的要求。
2020-05-31 09:15
新型 LTC®1266 是一款同步、降压型开关稳压控制器，能够驱动两个外部、N 沟道 MOSFET 开关。N 沟道 MOSFET 的卓越性能使 LTC1266 能够在 10A 或更高的负载条件下实现
2023-02-08 14:35
随着人们生活水平提高，用电也是越来越多。我记得小时候，一个月用十多块钱电费，现在一个月最少都要两百块。你说的这种情况放到现在是不可能的，供电部门不可能给用户装10A的电表！原因有二
2019-10-27 09:16
