全新的650V IGBT4 [1]采用沟槽MOS-top-cell薄片技术和场终止概念，如图1所示。沟槽与
2018-12-07 10:16
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型
2020-04-30 15:13
0前言家用逆变焊机因其体较小，操作方便，市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点，一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。
2014-08-13 09:25
罗姆(ROHM)是半导体和电子零部件领域的著名生产商，其近期推出了TO-247N封装的RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）——RGS60TS65D
2019-04-09 06:20
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5
2018-10-23 16:21
10A恒流源的设计怎么实现
2011-04-27 12:35
`奥科迪电子授权代理0755-82956188QQ2355504930蔡SNCE3010S NCE3010场效应管MOS管 30V/10A 代理原装
2017-06-28 16:06
IGBT导通后，电源1000V，电阻100Ω，仿真出电路电流10A（如图1、图2），这个没问题。但电源1000V，电阻10
2023-05-25 11:47
CoolMOS™ 650V CFD器件具备极低的反向恢复电荷Qrr、极短的反向恢复时间trr 和极小的反向恢复电流最大值Irrm。 图2在di/dt=100A/µs、 25°C和 Vr=400V等条件下测量
2018-12-03 13:43
