本文设计了一种针对NAND型的闪存转译层，使NFTL完成地址映射和坏块管理以及连续读写数据的操作。对NAND Flash的分区设计，使块管理结构清晰，有利于固件的开发
2017-12-01 17:35
由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三
2019-04-17 16:32
的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的闪存堆栈厚度为3.5μm，层厚度减少到62nm，现在的64/72
2018-05-28 16:25
在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)单元，是利用管线式(pipe)闸极链接每一个
2018-08-29 11:10
而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的
2018-06-03 09:50
对于许多消费类音视频产品而言，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具
2018-06-06 12:27
对于许多消费类音视频产品而言，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品
2012-07-27 17:03
存储级内存（SCM）克服了NAND闪存的局限性，因而势必会取而代之。 存储级内存（SCM）这种RAM能够像NAND闪存那样保保存其内容，但兼具DRAM的速度，最终将会取
2019-05-11 10:47
闪存单元由修改的场效应晶体管（FET）组成，在控制栅极和通道之间的绝缘层中具有额外的“浮置”栅极。 通过施加高压将电荷注入到浮栅上（或从浮栅上去除）。 这会改变打开晶体管所需的栅极电压，该电压代表存储在单元中的值。
2021-04-14 15:33
我们都知道固态硬盘采用闪存颗粒NAND Flash作为存储介质，所以它是固态硬盘中最重要的构成部分，其好坏也就决定着固态硬盘质量的好坏，而我们目前常见的NAND闪存主要
2020-01-01 09:31
