CRD-60DD12N，60 kW交错式升压转换器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。该演示板由四个15
2019-04-29 09:18
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07
(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30
电源和高压直流工业电源等三相隔离变换器中（图3）。本图比较了15KW市面上量产硅MOSFET方案和本碳化硅MOSFETR的20KW方案的尺寸和拓扑，从结果上看，该碳化硅MOSF
2016-08-05 14:32
的非常宽的结温和存储温度范围.特征：•沟槽型Power MV MOSFET技术-60V•低RDS(ON)•低 GATE CHARGE•针对快速切换应用程序进行优化•VDS：-60V•ID (at VGS
2019-03-13 10:54
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03
东芝新一代功率MOSFET产品帮助设计者降低各种电源管理电路的损耗及缩小板子的空间，包含直流-直流转换器的high side 及low side开关，以及交流-直流设计中的二次侧同步整流。此技术也适合马达控制及锂电池电子设备中的保护模组。
2019-08-02 08:07
的 10 节锂离子电池供电气流为 400 LFM 时提供高达 30A 的 RMS 连续电机电流此功率级使用 60V/400A 峰值、1.8mΩ RDS_ON、SON5x6 封装 MOSFET 实现
2018-09-25 08:51
电阻 (RDS_ON) 的 60V N 通道 NexFET(TM)，采用 SON5x6 SMD(...)主要特色用于无刷直流电机的 1kW 功率级，具有基于霍尔传感器的梯形控制功能，在
2018-07-13 05:12
