` 本帖最后由 松山归人 于 2021-7-2 11:48 编辑 作者：郭嘉老师（张飞实战电子高级工程师）摘要：设计一款60KW的电机驱动控制器，产品的功能、性能及成本等都能达到客户的需求，还要
2021-07-02 11:45
CRD-60DD12N，60 kW交错式升压转换器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。该演示板由四个15
2019-04-29 09:18
我的IGBT输出正常，为什么经过了升压变压器后就功率衰减很厉害。IGBT输出有120KW，经过变压器后仅有60KW，查了很久，都没发现这60KW的功率损耗到了哪里？并且就算是损耗，我认为也不会有器件能承受得这
2012-08-15 09:36
，设计了基于SiC MOSFET的6.6 kW双向OBC。在充电模式和放电模式下运行的转换器的实验结果显示出高效率和高功率密度。 双向OBC的规范和体系结构双向OBC规范 6.6kW双向车载充电器
2019-10-25 10:02
近年来，分布式逆变器持续火热，包括IGBT，SiC，GaN等核心材料的相对成熟，功率密度要求不断上升，逆变器的单机功率千瓦数也因此不断得以提高。占据市场主流的逆变器，功率已经从50~60KW过渡至70~80KW，单机功率上百千瓦的逆变器也已蓄势待发，随时准备走向市
2020-10-28 08:04
。选择60μH的磁化电感，以确保CLLC MOSFET的ZVS。结论本文设计并评估了SiC MOSFET上的6.6kW双向OBC。直流母线电压范围优化为 385 至 4
2023-02-27 09:44
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07
现急需要50～60KW大功率高频脉冲电源设计及生产技术。输入交流三相380V, 输出交流25KV, 2.5A (有效值), 转换频率10KHz~20KHz可调，且输出可以被调制为100KHz~400KHz脉冲串。带有Modbus RTU通讯接口。求大神啊 大神啊 神啊 啊~~·
2016-01-06 15:51
分布式逆变器持续火热，包括IGBT，SiC，GaN等核心材料的相对成熟，功率密度要求不断上升，逆变器的单机功率千瓦数也因此不断得以提高。占据市场主流的逆变器，功率已经从50~60KW过渡至70
2019-01-10 10:12
，从而在不改变封装体积的情况下提高输出功率。另一个普遍的希望是，能够最终避免采用插件封装的器件（比如TO220、TO247）。阻断电压为40V和60V的最新一代英飞凌MOSFET，如今可满足设计工
2018-12-06 09:46
