型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管
2021-03-08 16:42
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET
2019-07-09 17:30
的非常宽的结温和存储温度范围.特征：•沟槽型Power MV MOSFET技术-60V•低RDS(ON)•低 GATE CHARGE•针对快速切换应用程序进行优化•VDS：-
2019-03-13 10:54
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03
，从而在不改变封装体积的情况下提高输出功率。另一个普遍的希望是，能够最终避免采用插件封装的器件（比如TO220、TO247）。阻断电压为40V和60V的最新一代英飞凌MOSFET，如今可满足设计工
2018-12-06 09:46
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率
2019-05-10 06:46
铨力授权一级代理商 AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET 描述： AP2222
2024-10-08 11:34
(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06
`60V 12A N沟道功率场效应（MOS）管 单管 STD12NF06LT4物料链接：http://www.hqchip.com/app/1174_n100官网：ww
2019-07-09 15:13
频率进行调节或在 200kHz 至 700kHz 的范围内实施同步。在降压或升压操作中，无需上管 MOSFET 刷新开关周期。凭借 60V 输入、60V 输出能力以及工作区之间的无缝转换
2018-11-29 17:10
