`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率
2019-07-09 17:30
的非常宽的结温和存储温度范围.特征：•沟槽型Power MV MOSFET技术-60V•低RDS(ON)•低 GATE CHARGE•针对快速切换应用程序进行优化•VDS：-
2019-03-13 10:54
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管 沟槽型内阻72mR低结电容435pF 封装：SOT23-3低开启电压1.8V
2021-03-08 16:42
MOSFET 切换高于5V 的电压，则需要另一个晶体管（某种晶体管）来打开和关闭它。P 沟道场效应管P
2023-02-02 16:26
，从而在不改变封装体积的情况下提高输出功率。另一个普遍的希望是，能够最终避免采用插件封装的器件（比如TO220、TO247）。阻断电压为40V和60V的最新一代英飞凌MOSFET，如今可满足设计工
2018-12-06 09:46
子的欧姆区域（ohmic region），MOSFET“完全导通”。在对比图中，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是
2018-03-03 13:58
，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施
2021-04-09 09:20
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达6
2019-05-10 06:46
，增强型MOSFET分为P沟道增强型和N沟道增强型，耗尽型MOSFET分为P
2022-09-27 08:00
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟
2021-03-02 08:40
