60 V、1 A NPN 低 V
2023-02-14 19:23
`NPN中功率晶体管系列，采用表面贴装器件（SMD）塑料封装，具有大电流，高功耗，出色的导热性和导电性等优势。n具有中等功率能力的无铅超小型SMD塑料封装（SOT1061）。符合AEC-Q
2020-03-11 17:20
IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9610 200
2021-05-12 07:02
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个
2013-08-17 14:24
，晶体管的输入特性类似于二极管的正向伏安特性。 (2)共射极输出特性 （以 NPN 管为例） 共射极输出特性表达式为：。晶体管
2021-05-13 06:43
的复合结构。是为了利用MOSFET和双极晶体管的优点而开发的晶体管。与MOSFET同样能通过栅极电压控制进行高速工作，还同时具备双极晶体管的高耐压、低导通电阻特征。 工
2020-06-09 07:34
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing达林顿结构是提高电流增益的一种有效方式。达林顿GTR由两个或多个晶体管复合而成，可以是PNP或NPN型，如图2所示，其中V1
2018-01-25 11:27
专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04
单结晶体管有一个PN结和三个电极，一个发射极和两个基极，所以又称双基极二极管。其结构、等效电路及电路符号如下图所示。a、单结晶体管的结构；b、等效电路；c、电路符号它是
2018-01-09 11:39
程控单结晶体管(PUT)具有敏发炅敏度高、速度快、功耗低和动态电阻小等优点，因此广泛应用于各种脉冲电路和晶闸管控制系统。PUT张弛振荡电路上图是PUT的基本张弛振荡电路。它和普通单结晶体管张弛
2018-01-23 11:47
