耐压600V的MOSFET比较便宜，很多认为LED灯具的输入电压一般是220V，所以耐压600V足够了，但是很多时候电路电压会到340
2017-05-22 15:12
中，输入为90～265V的交流，初级通常选用600V或650V的功率MOSFET；笔记本电脑主板输入电压19V，通常选用
2018-02-10 04:44
MASTERGAN4 是一种先进的功率系统级封装，在半桥配置中集成了玛瑙驱动器和两个增强型 GaN 功率晶体管。集成功率 GaN 具有 650 V 漏源阻断电压和 225 mΩ RDS（ON），而嵌入式栅极驱动器的高端可由集成自举二极管轻松供电。
2021-06-12 09:24
AW2K21是一款同时实现了超小型封装和超低导通电阻的30V耐压Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET电路源极的共源电路，不仅能以一体化封装实现双向电路保护，还可以通过改变引脚连接来作为单
2025-04-17 14:55
）灯而言也非常重要。功率MOSFET是针对所有这些设计的典型首选开关技术，因为它可提供简单的驱动选项，可在高电压和高频率条件下进行高效切换。在大多数此类应用中，额定值600V通常是作为保证安全处理高电压瞬变的充分上限范围。
2018-04-08 09:18
对于MOSFET，欧姆电阻不仅仅只考虑沟道电阻，对于阻断电压在50V以上的器件中低掺杂中间区域的电阻起到决定作用。
2021-05-01 17:26
限流电容必须采用无极性电容；且，如果电源电压为110V时，电容的耐压值必须在275V以上；如果电源电压为220V时，电容的耐压值需在
2018-10-07 15:34
“超级结”技术由于其优越的品质因数，已经在击穿电压超过600V的功率MOSFET市场中占据主导地位。在设计基于超级结的功率器件时，工程师必须考虑一些因素，以提高电源应用中的效率、功率密度和可靠性
2024-06-14 11:35 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
总的背景，是在整个智能化配电单元上，继电器被MOSFET所取代。12V的配电架构，特别是电动汽车，由于整个系统的变化，都开始转变。
2018-09-13 09:50
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200
2018-08-20 17:26
