最近在做一个项目，直流输出有600V，输出与控制板完全隔离，现在我想通过电阻分压的方式对其进行采样。分别对输出+和输出-作分压采样。但是因为输出地相对板子地是悬浮的，所以分压电路设计上难把握。请问板上大声有没有有经验的或有想法的不吝赐教。另外问一下有没有用过隔离式直流电压采样器件的吗
2015-09-29 16:25
各位大大，最近在做双向逆变，想问一下用2变比的高频变压器，高压侧600V降压到300v，升压的时候可以从300V升压超过600V吗，有人说高频变压器可以升压超过原来高压
2018-03-17 15:26
各位大师 请教个问题本人有台开关电源600V/3A。整流后经四个大容，四个场效应管组成的对管，后经变压器，再经整流。开电没问题。只要工作就烧开关管，大功率场效应管，两个对管。问问是怎么回事，会是哪里造成的。
2013-10-11 00:34
IRS26302D：保护式600V三相栅极驱动器
2016-06-21 18:26
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明， 高性能适配器等。
2023-09-15 06:19
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-04-09 04:58
BDR6307B 是一款耐压 600V 的半桥栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路，用来驱动双 N 型 MOS 半桥。 BDR6307B 的逻辑
2025-02-20 10:22
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-05-07 06:21
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。 IGBT
2023-02-07 16:40
。高边连接的MOSFET或IGBT的工作电压可高达+600V，IRS26302D广泛用于通用逆变器和空调器逆变器以及马达控制。它为44脚PLCC封装工艺。一、IRS26302DJBPF外观图
2021-05-18 07:25
