碳化硅（SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性，
2021-01-12 11:48
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，
2020-06-28 17:30
人没想到的是，在8英寸碳化硅还远未大规模落地时，12英寸碳化硅衬底就已经悄然面世。 天岳先进发布300mm 碳化硅衬
2024-11-21 00:01
2023年9月，科友半导体自产首批8英寸碳化硅衬底成功下线。
2023-10-18 09:17
好，硬度大（莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级））、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。二、碳化硅半导体器件由于碳化硅
2023-02-20 15:15
10.5公斤/平方厘米，高温强度很好。抗弯强度直至1400℃仍不受温度的影响。1500℃时，弹性模量仍有100公斤/平方厘米。上述数据均测自大块材料。4)热膨胀系数较低，导热性好。5)碳化硅导电性较强
2019-07-04 04:20
采用砂浆多线切割工艺加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶体，研究了此工艺中钢线张力、 线速度、进给速度等切割
2023-08-09 11:25
家族中的新成员。 相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。 基本
2023-02-28 17:13
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）英飞凌在8月8日宣布，其位于马来西亚的新工厂一期项目正式启动运营，这是一座高效的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂，一期项目投资额高达20亿欧元，重点生产
2024-08-12 09:10
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。3) 低损耗一般而言，半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比，故在相似的功率等级下，SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09
