在半导体领域，随着碳化硅（SiC）材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角，成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择，对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关
2025-01-13 14:36 广州万智光学技术有限公司 企业号
从实际情况上看，目前多数SiC都采用的4英寸、6英寸晶圆进行生产，而6英寸和8英
2023-06-20 15:01
碳化硅MOS驱动电压选择15V还是18V，是电力电子设计中的关键权衡问题。这两种电压对器件的导通损耗、开关特性、热管理和系统可靠性有显著影响。
2025-06-04 09:22
引言 在碳化硅衬底加工过程中，切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系，并进行工艺优化，对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意
2025-06-12 10:03 新启航半导体有限公司 企业号
摘要 本文聚焦碳化硅衬底 TTV 厚度测量过程，深入探究表面粗糙度对测量结果的影响机制，通过理论分析与实验验证，揭示表面粗糙度与测量误差的关联，为优化碳化硅衬底 TTV
2025-08-18 14:33 新启航半导体有限公司 企业号
摘要 本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪，系统阐述其操作规范与实用技巧，通过规范测量流程、分享操作要点，旨在提高测量准确性与效率，为半导体制造过程中碳化硅衬底
2025-08-20 12:01 新启航半导体有限公司 企业号
作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优异的热、电性能，在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。碳化硅衬底加工精度直接影响器件性能，因此外延
2022-10-11 16:01
摘要 本文针对激光干涉法在碳化硅衬底 TTV 厚度测量中存在的精度问题，深入分析影响测量精度的因素，从设备优化、环境控制、数据处理等多个维度提出精度提升策略，旨在为提高碳化硅衬
2025-08-12 13:20 新启航半导体有限公司 企业号
摘要 本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中各向异性带来的干扰问题展开研究，深入分析干扰产生的机理，提出多种解决策略，旨在提高碳化硅衬底 TTV 厚度测量的准确性与可靠
2025-08-08 11:38 新启航半导体有限公司 企业号
