Borodovsky在采访中表示，另一个可能导致5nm缺陷的因素是现有的EUV光阻剂材料缺乏均匀度。此外，他还表示支持直接电子束写入，因为EUV使用的复杂相移光罩最终将膨胀至目前浸润式光罩价格的8倍。
2018-04-11 15:59
IMEC进行了设计技术协同优化（DTCO），以确定5nm节点上STT-MRAM单元的要求和规格，并得出了一个结论，高性能STT-MRAM位单元的MRAM间距是45nm接触栅极间距的两倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33
研究机构IMEC已经发表了一篇论文，该研究表明，在5nm节点上，STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。 半导体行业著名机构IMEC在
2019-04-22 15:51
我们很高兴能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 标准封装 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽车工艺上实现首次流片成功。这一里程碑彰显了我们持续提供高性能车规级 IP 解决方案的承诺，可满足新一代汽车电子和高性能计算应用的严格要求。
2025-04-16 10:17
。 GlobalFoundries、英特尔、三星和台积电希望将EUV光刻技术加入到7nm和5nm生产中。但就像以前一样，EUV由几部分组件组成，在芯片制造商能够引入之前
2018-03-31 11:52
现在EUV极紫外光已经提升过一次了。 之前ASML公布的新一代EUV***的量产时间是2024年，不过最新报道称下一代EUV***是2025年量产，这个时间上台积电、三星都已经量产3
2019-07-13 09:40
EUV 光刻是以波长为 10-14nm 的极紫外光作为光源的芯片光刻技术，简单来说，就是以极紫外光作“刀”，对芯片上的晶圆进行雕刻，让芯片上的电路变成人们想要的图案。
2022-10-10 11:15
本文简单介绍了极紫外光（EUV）掩膜版的相关知识，包括其构造与作用、清洗中的挑战以及相关解决方案。
2024-12-27 09:26
随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限，极紫外 （EUV） 光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产环境中。对于 7 纳米及更小的高级节点，EUV 光刻技术是一种能够简化图案形成工艺的支持技术。要在如此精细的尺寸下进行可靠制模，超净的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32
目前，商用EUV光刻机采用激光等离子体型-极紫外（LPP-EUV）光源系统，主要由驱动激光器、液滴锡靶、收集镜组成。
2024-02-21 10:18
