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  • 5nm节点上, STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果

    IMEC进行了设计技术协同优化(DTCO),以确定5nm节点上STT-MRAM单元的要求和规格,并得出了一个结论,高性能STT-MRAM位单元的MRAM间距是45nm接触栅极间距的两倍,是5nm最后

    2018-12-18 15:33

  • 你知道在5nm节点上, STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果?

    研究机构IMEC已经发表了一篇论文,该研究表明,在5nm节点上,STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。 半导体行业著名机构IMEC在

    2019-04-22 15:51

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    2025-04-16 10:17

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    2023-05-04 10:01

  • FPGA和AI芯片算哪一类?芯片的不同分类方式

    芯片的不同分类方式 按照处理信号方式可分为模拟芯片和数字芯片。 按照应用领域可分为军工级芯片、工业级芯片、汽车级

    2023-11-08 11:12

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    2023-12-01 09:37

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    2023-12-07 11:45

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    2019-12-02 16:41

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    2018-04-11 15:59

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    2020-11-22 09:37