IMEC进行了设计技术协同优化（DTCO），以确定5nm节点上STT-MRAM单元的要求和规格，并得出了一个结论，高性能STT-MRAM位单元的MRAM间距是45nm接触栅极间距的两倍，是
2018-12-18 15:33
研究机构IMEC已经发表了一篇论文，该研究表明，在5nm节点上，STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。 半导体行业著名机构IMEC在
2019-04-22 15:51
我们很高兴能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 标准封装 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽车工艺上实现首次流片成功。这一里程碑彰显了我们持续提供高性能车规级 IP 解决方案的承诺，可满足新一代汽车电子和高性能计算应用的严格要求。
2025-04-16 10:17
还记得当年参加电赛的时候，做了一个uV级输入电压、100万倍放大的系统，除了一个PGA之外，其他的放大模块基本都是按照5~10倍
2023-07-07 09:33
Borodovsky在采访中表示，另一个可能导致5nm缺陷的因素是现有的EUV光阻剂材料缺乏均匀度。此外，他还表示支持直接电子束写入，因为EUV使用的复杂相移光罩最终将膨胀至目前浸润式光罩价格的8倍。
2018-04-11 15:59
电机的启动电流是额定电流的多少倍说法不一，很多都是根据具体情况来说的。如说十几倍的、6~8倍的、5~8倍的、5~7
2019-02-19 09:00
电机的启动电流是额定电流的多少倍说法不一，很多都是根据具体情况来说的。如说十几倍的、6~8倍的、5~8倍的、5~7
2023-07-24 10:53
放大器芯片是一种用于放大电信号的器件，常见的放大器芯片包括操作放大器
2024-01-24 11:19
单片机程序有多大这个问题，在我接触的单片机初学者当中，很多人都遇到过，是什么问题呢？
2016-12-12 11:24
本文开始对倍压整流电路结构的优缺点进行了分析，其次介绍了倍压整流电路电容的选择以及分析了倍压整流电路电容要求多少为好，最后阐述了倍压整流电路的典型应用。
2018-02-26 15:27
