加利福尼亚州旧金山举行的国际电子器件会议（IEDM）上发表了大量论文。 在关于5nm嵌入式MRAM的论文中，IMEC使用经过硅验证的pMTJ（SSDFans作者蛋蛋命名MTJ为茅台酒）紧凑模型进行了设计分析，该模型与5nm
2019-04-22 15:51
IMEC进行了设计技术协同优化（DTCO），以确定5nm节点上STT-MRAM单元的要求和规格，并得出了一个结论，高性能STT-MRAM位单元的MRAM间距是45nm接触栅极间距的两倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33
我们很高兴能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 标准封装 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽车工艺上实现首次流片成功。这一里程碑彰显了我们持续提供高性能车规级 IP 解决方案的承诺，可满足新一代汽车电子和高性能计算应用的严格要求。
2025-04-16 10:17
芯片在工作时，如果过热发烫，要看是异常情况还是正常情况。有些功率芯片在接近满载工作时的确是非常烫的，这要通过加大散热铜皮、加装散热片来解决；有些非功率芯片如果烫得厉害就要考虑是不是电路异常所导致的。
2019-10-19 10:44
芯片的不同分类方式 按照处理信号方式可分为模拟芯片和数字芯片。 按照应用领域可分为军工级芯片、工业级芯片、汽车级
2023-11-08 11:12
芯片的7nm工艺我们经常能听到，但是7nm是否真的意味着芯片的尺寸只有7nm呢？让我们一起来看看吧！
2023-12-07 11:45
在计算机芯片的世界中，许多参数都是 “ 越大越好 ”。比如更多的内核、更高的 GHz 主频、以及更大的浮点运算能力。不同的是，在工艺制程上，整个行业都在极力向更微小的目标前进。从 10nm 到 7nm，直至
2019-12-02 16:41
本文开始对ICL7107进行了详细的介绍，其中包括了ICL7107的基本特点、引脚图及功能、介绍了ICL7107主要参数及工作原理，其次介绍了ICL7107在应用中的几个实际问题及相应措施，最后阐述了ICL7107芯片在微机检测系统中的应用电路。
2018-02-11 11:35
Borodovsky在采访中表示，另一个可能导致5nm缺陷的因素是现有的EUV光阻剂材料缺乏均匀度。此外，他还表示支持直接电子束写入，因为EUV使用的复杂相移光罩最终将膨胀至目前浸润式光罩价格的8倍。
2018-04-11 15:59
电源ic芯片在选型替代过程当中，大家通常会选用自己熟悉的而且输出电流较大的电源ic芯片，以便统一物料，降低成本。这样就产生了一个问题，产品的效率该如何保证？尤其是在小负载电流时。
2020-06-17 08:45
