描述♦ BL24C512A提供524288位串行电可擦除和可编程只读存储器(EEPROM),组织为65536字,每位8位。♦ 该设备被优化用于许多工业和商业应用,其中低功率和低压操作是必不可少
2023-05-16 14:07 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
描述♦ BL24C512A提供524288位串行电可擦除和可编程只读存储器(EEPROM),组织为65536字,每位8位。♦ 该设备被优化用于许多工业和商业应用,其中低功率和低压操作是必不可少
2023-05-16 17:12 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
24LC512T-I/SM EEPROM 详解与应用在电子产品设计中,选择合适的非易失性存储器对于确保系统的可靠性和性能至关重要。24LC512T-I/SM是美国微芯科技(Microchip
2024-11-05 09:59 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
AT24C512C-SSHD-T EEPROM 详解:高性能的I²C存储解决方案在电子设备的设计过程中,选择合适的存储器是确保数据可靠性和系统稳定性的关键。MICROCHIP(美国微芯)推出
2024-11-05 09:45 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
MT53D512M16D1DS-046 AAT:D是一款高性能的DDR4 SDRAM内存芯片,由MICRON制造,专为满足现代电子设备对高速内存的需求而设计。该产品具备出色的存储性能和能效,适用于
2025-02-14 07:38 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM内存芯片,由MICRON制造,专为现代电子设备的高速内存需求而设计。该产品具备卓越的存储性能和能效,适用于多种
2025-02-14 07:41 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
1.概述W25Q512JV(512M位)串行闪存为具有有限空间、引脚和电源的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供了远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码隐藏到RAM,直接从双
2024-03-27 11:26 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W25Q512JV(512M位)串行闪存为具有有限空间、引脚和电源的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供了远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码隐藏到RAM,直接从双
2024-03-27 10:50 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
;MT41K512M16VRP-107 AAT:P是Micron推出的一款高性能DDR3 SDRAM内存芯片,具有8Gb(512M x 16位)的
2024-11-10 19:12 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
MEBIRY是GigaDevice推出的一款512Mb SPI NOR闪存,工作电压范围为2.7V至3.6V,采用24球BGA封装。该闪存具有高性能和低功耗的特点,非常适合需要快速数据存储和
2025-02-10 20:40 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号