特点MS51为带有Flash的增强型8位8051内核微控制器(1T工作模式),指令集与标准的80C51完全兼容并 具备更高效能。 MS51 16
2025-02-19 14:33 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
STM8S003K3T6C,值线,16 MHz STM8S 8位MCU,8 KB闪存,128字节 数据EEPROM、10位ADC、3个定时器、UART、SP
2023-02-16 16:24 深圳市金和信科技有限公司 企业号
HSEC8-125-01-S-DV-A-K-TRTWM889Edge Card 2x25P/0.8/VA(F) SMD HSEC8-125-Samtec U.S.A
2024-10-30 12:40 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
**K8A60DA-VB MOSFET 产品简介:**K8A60DA-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高电压和中等电流的电力应用。其漏源电压(VDS)为
2025-09-12 18:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、K8A45DA-VB 产品简介K8A45DA-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,设计用于高电压和中等电流的应用。该器件的漏源击穿电压(VDS)为
2025-09-12 17:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介 — K8A45D-VB MOSFETK8A45D-VB 是一款高电压单极性N沟道MOSFET,采用TO220F封装,具有650V的最大漏源电压和±30V的栅源电压耐受能力。该器件
2025-09-12 17:51 微碧半导体VBsemi 企业号
MAAM-008199-000A51可级联MAAM-008199-000A51 (A51) 射频放大器采用分立式混合设计,采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在
2023-03-15 14:50 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号