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型号：J100N50X4B 品牌：

TTM Technologies 的 J100N50X4B 是一款端接器，频率 DC 至 4 GHz、功率 100 W、回波损耗 22 至 26 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签

2023-08-17 15:43 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：SMA6J SERIES 品牌：江苏芯格诺

系列型号：SMA6J5.0A、SMA6J6.0A、SMA6J6.5A、SMA6J7.0A、SMA6J7.5A、SMA6

2022-07-26 10:23 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：SMB10J SERIES 品牌：江苏芯格诺

封装形式：SMB10J5.0A、SMB10J6.0A、SMB10J6.5A、SMB10J7.0A、SMB10J7.5A、

2022-07-26 11:03 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：EMF30N02J-VB 品牌：微碧

**VBsemi EMF30N02J-VB 产品详细参数说明与应用简介****参数说明:**- **型号：** EMF30N02J-VB- **丝印：** VB1240- **品牌

2024-01-03 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP01N60J-VB 品牌：微碧

### AP01N60J-VB 产品简介**型号：** AP01N60J-VB  **封装：** TO251  **配置：** 单N沟道MOSFET  **技术

2024-12-13 11:21 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9912J-VB 品牌：微碧

### 9912J-VB MOSFET 产品简介9912J-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，封装为TO251。具有优秀的导通特性和低导通电阻，适用于需要高效能转换和电源管理

2024-11-26 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9916J-VB 品牌：微碧

### 9916J-VB 产品简介9916J-VB 是一款单 N 沟道场效应管（MOSFET），采用先进的沟道技术，具有低导通电阻和高漏极电流特性，适用于各种需要高效能和高功率的电子应用场

2024-11-26 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP03N70J-VB 品牌：微碧

### AP03N70J-VB 产品简介AP03N70J-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO251 封装，由 VBsemi 公司生产。它具有高漏源电压

2024-12-13 13:54 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP09N20J-HF-VB 品牌：微碧

### AP09N20J-HF-VB 产品简介AP09N20J-HF-VB是一款单N沟道MOSFET，封装形式为TO251，采用沟槽工艺技术。该器件适用于中高压应用，具有良好的导通性能和稳定性

2024-12-16 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP01N40J-VB 品牌：微碧

### AP01N40J-VB 产品简介AP01N40J-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，封装为TO251。该器件具有650V的漏源极电压和2A的连续漏极电流能力，适用于

2024-12-13 11:19 微碧半导体VBsemi 企业号