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型号：<b class='flag-s-7'>09N50C3</b>-VB 品牌：微碧

### 09N50C3-VB 产品简介：09N50C3-VB 是一款单路 N-沟道场效应管，采用 TO220 封装，主要特点包括：- **VDS（漏极-源极电压）**：650V，适用于高压

2024-07-04 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SUD<b class='flag-s-7'>50N06-09L-E3</b>-VB 品牌：微碧

型号  SUD50N06-09L-E3-VB 丝印  VBE1615 品牌  VBsemi 参数     N

2023-11-09 11:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：ITA<b class='flag-s-7'>09N50</b>A-VB 品牌：微碧

**ITA09N50A-VB 产品简介**ITA09N50A-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO-220F封装，具有650V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS）。该器件

2025-09-10 10:46 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APTM<b class='flag-s-7'>50UM09</b>FAG 品牌：

APTM50UM09FAG型号简介      APTM50UM09FAG是Microchip推出的一款功率模块，这款模块拥有低栅极电荷，这使得他易于驱动，就像

2024-11-14 11:01 立年电子科技 企业号

型号：SUD<b class='flag-s-7'>50P04-09L-E3</b>-VB 品牌：微碧

SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数 - 最大耐压 -40V- 最大漏极电流 -65A- 导通时的电阻（RDS(ON)） 10mΩ@10V, 13m

2023-10-27 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SUD<b class='flag-s-7'>50N06-09L-E3</b>-VB 品牌：微碧

型号  SUD50N06-09L-E3-VB 丝印  VBE1615 品牌  VBsemi 参数     N

2023-11-20 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPD<b class='flag-s-7'>50N06S3-09</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介：IPD50N06S3-09-VB 是一种单N沟道MOSFET，封装类型为TO252。这款MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，具有60V的漏源电压（VDS）和58A的高连续漏

2025-08-27 10:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>PO</b>40 品牌：中图仪器

PO数控机床测头是一款具有 3 维 5 向探测功能的红外触发机床测头，是用于实现精密测量的重要设备。它主要用于测量工件的大小、形状以及位置误差等细节。广泛应用于 3 轴

2023-09-06 14:31 中图仪器 企业号

型号：SQD<b class='flag-s-7'>50P04-09L-GE3</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介SQD50P04-09L-GE3-VB是VBsemi品牌生产的P沟道场效应管（MOSFET），具有高耐压、高电流和低导通电阻等特性。该器件适用于各种功率电子应用，并采用TO252封装

2024-06-24 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>09N50</b>I-VB 品牌：微碧

09N50I-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导

2024-07-04 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号