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型号：<b class='flag-s-7'>09N50C3</b>-VB 品牌：微碧

### 09N50C3-VB 产品简介：09N50C3-VB 是一款单路 N-沟道场效应管，采用 TO220 封装，主要特点包括：- **VDS（漏极-源极电压）**：650V，适用于高压

2024-07-04 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SUD<b class='flag-s-7'>50N06-09L-E3</b>-VB 品牌：微碧

型号  SUD50N06-09L-E3-VB 丝印  VBE1615 品牌  VBsemi 参数     N

2023-11-09 11:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SUD<b class='flag-s-7'>50P04-09L-E3</b>-VB 品牌：微碧

SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数 - 最大耐压 -40V- 最大漏极电流 -65A- 导通时的电阻（RDS(ON)） 10mΩ@10V, 13m

2023-10-27 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APTM<b class='flag-s-7'>50UM09</b>FAG 品牌：

APTM50UM09FAG型号简介      APTM50UM09FAG是Microchip推出的一款功率模块，这款模块拥有低栅极电荷，这使得他易于驱动，就像

2024-11-14 11:01 立年电子科技 企业号

型号：SUD<b class='flag-s-7'>50N06-09L-E3</b>-VB 品牌：微碧

型号  SUD50N06-09L-E3-VB 丝印  VBE1615 品牌  VBsemi 参数     N

2023-11-20 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SQD<b class='flag-s-7'>50P04-09L-GE3</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介SQD50P04-09L-GE3-VB是VBsemi品牌生产的P沟道场效应管（MOSFET），具有高耐压、高电流和低导通电阻等特性。该器件适用于各种功率电子应用，并采用TO252封装

2024-06-24 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>PO</b>40 品牌：中图仪器

PO数控机床测头是一款具有 3 维 5 向探测功能的红外触发机床测头，是用于实现精密测量的重要设备。它主要用于测量工件的大小、形状以及位置误差等细节。广泛应用于 3 轴

2023-09-06 14:31 中图仪器 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>09N50</b>I-VB 品牌：微碧

09N50I-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导

2024-07-04 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：RVI<b class='flag-s-7'>50N-09BK0A3</b>TN-02000 品牌：

参数表节选：的技术参数  RVI50N-09B**A*T产品阐述 增量旋转编码器通用规格检测类型光电采样脉冲计数最大 2500电气技术规格工作电压4,75 ... 30 V DC

2022-11-17 13:07 上海冠宁科技发展有限公司 企业号

型号：RVI<b class='flag-s-7'>50N-09BK0A3</b>TN-01000 品牌：

参数表节选：的技术参数  RVI50N-09B**A*T产品阐述 增量旋转编码器通用规格检测类型光电采样脉冲计数最大 2500电气技术规格工作电压4,75 ... 30 V DC

2022-11-03 13:14 上海冠宁科技发展有限公司 企业号