科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基面位错容量小于0.1cm-2。
2012-10-16 15:13
磨料形貌及分散介质对4H碳化硅（4H-SiC）晶片研磨质量具有显著影响。以下是对这一影响的详细分析： 一、磨料形貌的影响 磨料形貌是研磨过程中影响4H-SiC晶片质量
2024-12-05 14:14 广州万智光学技术有限公司 企业号
碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子组成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕见，主要通过人工合成。其晶体结构具
2023-02-06 16:45
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30
晶体结构是通过原子（或离子/分子）组的周期性分布来实现的。理想情况下，考虑到在空间坐标中延伸到无穷大的晶体，周期性转化为平移不变性（或平移对称性）。因此，整个晶体是由称为晶胞的基本单元的周期性重复产生的，该晶胞可以包
2022-07-29 09:52
金刚石、碳化硅和晶体硅都是由碳元素构成的晶体材料，它们具有不同的晶体结构和化学性质。 一、晶体结构 金刚石 金刚石是一种
2024-08-08 10:17
、高强度和高耐磨性。它由硅和碳原子以1:1的比例组成，形成一种稳定的晶体结构。碳化硅的晶体结构赋予了它许多独特的性质，其中最引人注目的是其耐高温能力。 2. 耐高温性能 碳化硅
2025-01-24 09:15
碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍，热导率是硅材料的3倍，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击
2023-02-03 14:40
℃。这些数据清晰地表明，在相同的条件下，碳化硅需要更高的温度才能熔化，因此其熔点高于晶体硅。 碳化硅（SiC）是一种无机物，俗名金刚砂，是一种无色晶体，含杂质时呈蓝黑色
2024-08-08 10:15
来探讨一下碳化硅衬底的国产化进程。 ◆ 碳化硅衬底类型 碳化硅分为立方相（闪锌矿结构）、六方相（纤锌矿结构）和菱方相3大
2021-07-29 11:01
