继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44
在最近举办的CES 2020展会上，SK海力士展出了两款新的高端SSD，分别是Gold P31、Platinum P31，最大特点采用了SK海力士自家的4D TLC NAND闪存。
2020-01-13 11:45
SK海力士宣布，已经全球第一家研发成功，并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。
2019-06-27 15:23
SK海力士宣布推出了全球首款4D闪存。从现场给出的技术演示来看，4D闪存和此前长江存储的Xtacking十分相似，只不过外围电路（PUC，Peri.Circuits）在
2018-08-09 10:46
存储芯片大厂SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，TLC颗粒，容量达512Gb（64GB）。 据，SK海力士透露，该闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术
2020-12-14 15:55
继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术。
2020-12-07 13:49
2019年智能手机的闪存容量进一步提升，中高端手机基本上是128GB起步，高端会上512GB，个别产品顶配直接上1TB容量了。按照这个趋势下去，明年1TB容量的手机会更多，因为SK海力士现在已经开始出货1TB UFS 3.1闪存给手机厂商，堆栈层数达到了128层。
2019-11-21 08:53
首先是3D NAND的技术路线选择，SK海力士称，CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型）比Floating Gate（浮栅型）存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P／E次数多）
2018-08-12 10:55
与浮栅将电荷存储在导体中不同，CTF将电荷存储在绝缘体中，消除了电池之间的干扰，提高了读写性能，同时与浮栅技术相比，减少了单位电池面积。
2021-01-06 15:37
在CES展会上，SK海力士正式宣布了128层堆栈的4D闪存（本质还是3D闪存，4D只是商业名称），已经用于自家的PCIe
2020-01-08 08:41
