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型号：<b class='flag-s-7'>4957GM</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介4957GM-VB 是一款采用 SOP8 封装的双通道 P+P 沟道 MOSFET，利用 Trench 技术设计，适用于需要负电源电压控制和高效能源管理的应用场合。### 详细参数

2024-11-12 14:22 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>4957</b>AGM-VB 品牌：微碧

源电压下的优异导通特性和稳定的性能，适合要求高效能和可靠性的负电压应用。### 4957AGM-VB MOSFET 详细参数说明| 参数    

2024-11-12 14:21 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>4957</b>M-VB 品牌：微碧

M-VB具有优异的电气特性，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理和功率控制应用场合。### 二、4957M-VB 详细参数说明- **封装类型**: SOP8- **配置*

2024-11-12 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>4957</b>M-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介详细：AP4957M-VB 是一款双 P 沟道 + P 沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装，适用于需要负电压开关控制的应用。该器件具有高度集成的设计和先进的 Trench

2024-12-20 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4920<b class='flag-s-7'>GM</b>-VB 品牌：微碧

通特性和稳定的性能，适合要求高效能和可靠性的电子应用。### 4920GM-VB MOSFET 详细参数说明| 参数       |

2024-11-12 14:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>GM</b>8775C 品牌：

品牌：国腾型号：GM8775C芯片功能：MIPI DSI  转LVDS输入信号：MIPI DSI输出信号：LVDS控制方式：IIC分辨率：1920*1080电源：1.8/3.3封装：QFN48

2021-09-15 15:44 新域半导体 企业号

型号：4432<b class='flag-s-7'>GM</b>-VB 品牌：微碧

）、1.7V 的阈值电压（Vth）、以及 13A 的漏极电流（ID）。4432GM-VB 采用沟槽技术，具有高性能和可靠性。### 二、4432GM-VB 详细参数

2024-11-08 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9420<b class='flag-s-7'>GM</b>-VB 品牌：微碧

合。AP9420GM-VB采用了先进的Trench技术，提供了优异的电气性能和可靠性。### 详细的参数说明| 参数        

2024-12-23 17:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4425<b class='flag-s-7'>GM</b>-VB 品牌：微碧

）、1.7V 的阈值电压（Vth）、以及 13A 的漏极电流（ID）。4425GM-VB 采用沟槽技术，具有高性能和可靠性。### 二、4425GM-VB 详细参数

2024-11-08 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4880<b class='flag-s-7'>GM</b>-VB 品牌：微碧

高效能力转换和电源管理的应用。### 4880GM-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：SOP8- **配置**：单N沟道- **漏源电压 (VDS

2024-11-12 13:43 微碧半导体VBsemi 企业号