FDS4435BZP 沟道 PowerTrench® MOSFET(金属 - 氧化物半导体场效应晶体管)-30V,-8.8A,20 毫欧特性当 = -10V, = -8.8A 时,最大导通电阻为
2025-02-28 14:32 深圳市点面线科技有限公司 企业号
**AP4435GJ-VB 详细参数说明和应用简介:****参数说明:**- 封装:TO251- 沟道类型:P-Channel- 额定电压(VDS):-30V- 额定电流(ID):-35A- RDS
2024-02-19 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4435GH-VB TO252 产品简介4435GH-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压(VDS),并具有 ±20V 的栅极
2024-11-08 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4435GJ-VB TO251 MOSFET 产品简介4435GJ-VB 是一款单通道 P 沟道场效应管,采用 TO251 封装,适用于各种电子应用中的高效能管理。具有高可靠性和优异的热性
2024-11-08 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:IRF4435TRPBF-VB丝印:VBA2317品牌:VBsemi参数:- P沟道- 额定电压:-30V- 最大漏电流:-7A- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):23mΩ @ 10V
2023-12-20 10:30 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 FDS4435BZNL丝印 VBA2317品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 7A 导通电阻 23mΩ@10V, 29m
2023-11-03 14:04 微碧半导体VBsemi 企业号