FDS4435BZP 沟道 PowerTrench® MOSFET(金属 - 氧化物半导体场效应晶体管)-30V,-8.8A,20 毫欧特性当 = -10V, = -8.8A 时,最大导通电阻为
2025-02-28 14:32 深圳市点面线科技有限公司 企业号
### 一、产品简介AP4435GYT-HF-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。它具有低漏源电压和低导通电阻的特性,适用于需要高效能量转换和电源管理的电子电路
2024-12-19 13:54 微碧半导体VBsemi 企业号