### 一、4435GH-VB TO252 产品简介4435GH-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压(VDS),并具有 ±20V 的栅极
2024-11-08 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号
**AP4435GJ-VB 详细参数说明和应用简介:****参数说明:**- 封装:TO251- 沟道类型:P-Channel- 额定电压(VDS):-30V- 额定电流(ID):-35A- RDS
2024-02-19 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
FDS4435BZP 沟道 PowerTrench® MOSFET(金属 - 氧化物半导体场效应晶体管)-30V,-8.8A,20 毫欧特性当 = -10V, = -8.8A 时,最大导通电阻为
2025-02-28 14:32 深圳市点面线科技有限公司 企业号
能,适用于各种严苛环境下的稳定运行。4435GJ-VB 的漏极-源极电压(VDS)为 -30V,栅极-源极电压(VGS)为 ±20V,具有良好的性能和可靠性。其低栅
2024-11-08 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 CEM4435丝印 VBA2317品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 7A RDS(ON) 23mΩ @ 10V,29mΩ @ 4.5V,66m
2023-10-30 15:33 微碧半导体VBsemi 企业号