HMC440QS16GE：高性能、宽带射频低噪声放大器HMC440QS16GE是一款高性能的宽带射频低噪声放大器(LNA)，具有出色的线性度、噪声性能和高增益。这款放大器由业界知名的制造商提供，专为
2024-02-16 17:44 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
ADR440系列XFET®基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR440/ADR441
2023-06-25 11:34 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
IRFY440CM 功率MOSFET详解产品概述：IRFY440CM 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用而设计。它具有较低的导通电阻和快速的开关特性，能够有效提高电源转换效率
2024-10-27 18:30 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 1. 产品简介详：AOB440-VB 是一款单 N-沟道场效应管，采用Trench工艺制造。其封装为TO263，具备中等耐压、极低导通电阻和高电流承受能力，适用于需要高性能功率控制和低损耗
2024-12-05 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC440QS16G(E)是一款整数N分频频率合成器，将10至1300 MHz的数字鉴相鉴频器与10至2800 MHz 5位频率计数器（从2到32的持续分频)组合在一起，采用微型16引脚QSOP
2023-02-16 17:48 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 一、产品简介B440-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO263封装，具有出色的导通电阻和高电流承载能力。该器件采用先进的沟槽（Trench）技术制造，能够在高达150A的电流
2025-01-07 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC440QS16G 产品概述HMC440QS16G是一款高性能的射频开关，专为宽带无线通信和微波应用设计。该器件以其高线性度和快速切换特性，在多个应用中表现优异，尤其适用于需要快速信号切换的场合
2024-10-15 13:46 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
的电压变化与温度非线性关系显著降低。特征超低噪声(0.1 Hz至10 Hz)ADR440: 1 μV峰峰值ADR441: 1.2 μV峰峰值ADR443: 1.4 μ
2023-09-12 10:57 深圳芯领航科技有限公司 企业号
**产品简介：**BSC440N10NS3 G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)，设计用于中到高电压应用。该 MOSFET 的 VDS（漏极-源极最大
2025-01-09 10:55 微碧半导体VBsemi 企业号
