MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子
2018-03-09 14:28
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56
今天在群里看到了一张图，是TI的一个40V~400V非隔离型的高端电流检测方案的一个原理框图，这个图里，比较有意思的一点就是巧妙的利用了稳压二极管改变了运算放大器的共模输入电压范围 。主要使用了一个OPA333，一个高压PMOS，还有一个INA226。
2023-12-06 16:11
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的
2023-04-13 09:40
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200
2018-08-20 17:26
晶扬电子作为国内业内著名的“电路与系统保护专家” ，生产的2N7002KX型N沟道MOSFET管，因其优良的性能和广泛的应用领域而备受关注。本文将深入介绍2
2024-09-10 17:30
本应用笔记解释了如何在高边工业负载开关应用中选择与MAX14922配合使用的合适的外部n沟道MOSFET。
2022-12-15 20:11
QFN40 MLP40 MLF40 IC引脚间距0.5mm 编程座 测试座 用于QFN40的IC芯片进行烧写、测试，IC体宽6
2019-12-13 13:54
QFN40 MLP40 MLF40 IC引脚间距0.5mm 编程座 测试座 用于QFN40的IC芯片进行烧写、测试，IC体宽
2019-12-13 14:17
QFN40 MLP40 MLF40 IC引脚间距0.4mm 编程座 测试座 用于QFN40的IC芯片进行烧写、测试，IC体宽5×5mm 型号
2019-12-13 14:12
