有据可查的是，与平面晶体管相比，从16nm/14nm开始的FinFET技术大大增加了必须提取的寄生值的数量。这些类似3D架构的鳍片会产生许多电容值，必须提取这些电容值才能准确模拟电气行为，并最终
2023-05-25 14:23
这一集电极电流IC流经电阻RL，从而IC×RL的电压反映在电阻RL两端。最终，输入电压e被转换（增幅）成ICRL电压反映在输出。
2024-04-22 11:46
过去几年，半导体产业风起云涌。一方面，中国半导体异军突起。另一方面，全球产业面临超级周期，加上人工智能等新兴应用的崛起，全球半导体行业竞争激烈。而在芯片代工市场，我们不得不说到台积电、三星和联发科。但目前，台积电占据全球晶圆代工市场大约60%的份额，在7nm工艺节
2019-10-26 11:13
芯片的7nm工艺我们经常能听到，但是7nm是否真的意味着芯片的尺寸只有7nm呢？让我们一起来看看吧！
2023-12-07 11:45
，苹果A17芯片采用了3nm工艺制程，核心参数包括6-core CPU和6-core GPU，为多任务处理提供了强大的支持。 此外，苹果公司的A17芯片的3nm的工艺制
2023-09-26 11:46
虽然只有12年的历史，但finFET已经走到了尽头。从3nm开始，它们将被环栅 (GAA)取代，预计这将对芯片的设计方式产生重大影响。
2023-04-18 10:05
而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70
2018-06-03 09:50
对于薄膜厚度的准确测量，取决于使用什么样的厚度传感器，下面介绍目前在线薄膜厚度的检测技术主要有几种方式。
2019-05-11 11:11
层数的增加也就意味着对工艺、材料的要求会提高，要想达到140层堆叠就必须使用新的基础材料。而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND
2018-05-28 16:25
为了有效抑制短沟道效应，提高栅控能力，随着MOS结构的尺寸不断降低，就需要相对应的提高栅电极电容。提高电容的一个办法是通过降低栅氧化层的厚度来达到这一目的。栅氧厚度必须随着沟道长度的降低而近似
2025-05-26 10:02
