晶片全面曝光的方法，使单一晶片上可以获得更多的芯片(chip)。如此一来，虽然产率得以提高，但同时也制造一些工艺处理问题。特别在对硅晶片蚀刻深凹槽(deeptrench)工艺方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53
，它们与光刻机被称为半导体制造三大关键设备，而中微的5nm等离子蚀刻机已经具备了国际竞争力。等离子刻蚀机是
2020-03-09 10:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 编辑 3.晶圆的处理—微影成像与蚀刻
2012-08-01 23:27
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑 各位大侠：有谁知道哪家有供应蚀刻钛的药水，请告知或提供联系方法。谢谢！！！本人的QQ号码是：414615292
2012-08-08 14:51
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12
3: 插入升级 SD 卡，重新上电，进行固件烧录1.3 方案三(烧录器升级方案)步骤 1：制作 update.img 升级固件步骤 2: 使用 SpiImageTool 工具制作烧录器的烧录文件步骤 3: 存储芯片
2022-06-24 15:38
正在从二维走向三维世界——芯片设计、芯片封装等环节都在向3D结构靠拢。晶体管架构发生了改变当先进工艺从28nm向22nm
2020-03-19 14:04
的蚀刻系数通常是&；碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧蚀问题，蚀刻后的导线侧壁接近垂直。
2013-10-31 10:52
适用了20余年的摩尔定律近年逐渐有了失灵的迹象。从芯片的制造来看，7nm就是硅材料芯片的物理极限。不过据外媒报道，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，采用碳纳米管复合材料将现有最精尖
2021-07-28 07:55
