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型号：NP40<b class='flag-s-7'>N10PDF</b>-VB 品牌：微碧

**NP40N10PDF-VB****丝印：** VBL1104N  **品牌：** VBsemi  **参数：** TO263；N—Channel沟道, 100V；45A

2024-02-19 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HN0301 品牌：

深圳市三佛科技有限公司供应HN0301华能100V 3A SOT-23  N沟道MOS管3n10，原装，库存现货 HN0301 采用先进的沟道技术和设计，以提供优秀的RDS（开

2022-12-22 14:15 深圳市三佛科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>3N10</b>L26-VB 品牌：微碧

### 一、3N10L26-VB 产品简介3N10L26-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO263封装。该产品具有100V的漏源极电压（VDS），20V的栅源极电压（VGS），1.8V

2024-11-07 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPI180<b class='flag-s-7'>N10N3</b> G-VB 品牌：微碧

### 一、IPI180N10N3 G-VB 产品简介IPI180N10N3 G-VB 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO262 封装，设计用于需要高效开关和高电流处理能力

2025-08-27 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：160<b class='flag-s-7'>N10N</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的160N10N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了沟槽技术，具有高压承受能力和低导通电阻，适用于高功率负载的开关和控制应用。其封装为DFN8(3X3)，体积小

2024-07-08 13:46 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPI030<b class='flag-s-7'>N10N3</b> G-VB 品牌：微碧

### IPI030N10N3 G-VB MOSFET 产品简介IPI030N10N3 G-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO262 封装，设计用于高电压和高电流应用。它能够承受

2025-08-27 16:06 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPI086<b class='flag-s-7'>N10N3</b> G-VB 品牌：微碧

### IPI086N10N3 G-VB MOSFET 产品简介IPI086N10N3 G-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO262 封装，专为高电压和高电流应用设计。该

2025-08-27 16:47 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPP030<b class='flag-s-7'>N10N3</b> G-VB 品牌：微碧

### 一、IPP030N10N3 G-VB 产品简介：IPP030N10N3 G-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，封装为TO220。该MOSFET设计用于处理高电流和高电压的应用，具有

2025-08-28 10:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HM<b class='flag-s-7'>3N10</b>MR-VB 品牌：微碧

参数说明：- 型号: HM3N10MR-VB- 丝印: VB1102M- 品牌: VBsemi- 封装: SOT23- 沟道类型: N—Channel- 最大电压: 100V- 最大电流: 2A-

2024-03-20 16:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10N62K3</b>-VB 品牌：微碧

### 10N62K3-VB 产品简介10N62K3-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。这款MOSFET具有650V的漏源极电压（VDS），能够承受高压环境中的操作

2024-07-04 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号