### 产品简介VBsemi的160N10N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了沟槽技术,具有高压承受能力和低导通电阻,适用于高功率负载的开关和控制应用。其封装为DFN8(3X3),体积小
2024-07-08 13:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### 10N62K3-VB 产品简介10N62K3-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装。这款MOSFET具有650V的漏源极电压(VDS),能够承受高压环境中的操作
2024-07-04 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的160N10NS3-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用Trench技术,适用于高压、高功率的电源开关和控制应用。该器件采用DFN8(5X6)封装,具有100V
2024-07-08 13:43 微碧半导体VBsemi 企业号
### 25N10L-TN3-R-VB 产品简介25N10L-TN3-R-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET,采用 Trench 技术,封装形式为 TO252。具有较低的导通电阻和适中的漏极电流
2024-07-10 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 180N10F3-VB TO220 产品简介180N10F3-VB 是一款由 VBsemi 生产的高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO220 封装。该产品具有高压承载能力和低
2024-07-08 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、BSZ160N10NS3 G-VB产品简介BSZ160N10NS3 G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术,封装为DFN8(3x3)
2025-01-10 15:40 微碧半导体VBsemi 企业号