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型号：<b class='flag-s-7'>34NM60ND</b>-VB TO247 品牌：微碧

### 一、产品简介**产品型号**: 34NM60ND-VB**封装类型**: TO247**产品概述**: 34NM60ND-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术

2024-11-06 14:14 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：55<b class='flag-s-7'>NM60ND</b>-VB 品牌：微碧

### 55NM60ND-VB 产品简介55NM60ND-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO247 封装，具备高电压承受能力和低导通电阻特性。该器件适用于需要高功率和高效能的应用场

2024-11-14 14:04 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：43<b class='flag-s-7'>NM60ND</b>-VB 品牌：微碧

### 一、43NM60ND-VB 产品简介43NM60ND-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO247 封装。该产品具有 650V 的漏极-源极电压（VDS）、30V 的栅极-源极

2024-11-08 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：47<b class='flag-s-7'>NM60ND</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**型号：47NM60ND-VB**47NM60ND-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO247封装。它具有高耐压能力和高电流承载能力，适用于要求高功率和高可靠性的电子

2024-11-11 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：15<b class='flag-s-7'>NM60ND</b>-VB TO263 品牌：微碧

### 15NM60ND-VB TO263 产品简介：15NM60ND-VB TO263 是一款单通道 N 型 MOSFET，具有高压耐受性和适中的电流承载能力。它适用于一些中功率的电路设计，如电源

2024-07-06 17:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：15<b class='flag-s-7'>NM60ND</b>-VB TO247 品牌：微碧

### 15NM60ND-VB TO247 产品简介15NM60ND-VB TO247 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有高达 650V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的门极-源极电压

2024-07-06 17:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：15<b class='flag-s-7'>NM60ND</b>-VB TO220F 品牌：微碧

### 15NM60ND-VB 产品简介15NM60ND-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，具有高压容忍性和低导通电阻。采用平面工艺制造，适用于高压、高性能的应用场合，如电源开关、逆变器、电机

2024-07-06 17:35 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：8<b class='flag-s-7'>NM60ND</b>-VB TO263 品牌：微碧

### 一、8NM60ND-VB 产品简介8NM60ND-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO263 封装，适合高压功率开关和电源管理应用。它具有650V的漏源极电压承受能力和优良的导

2024-11-22 17:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：25<b class='flag-s-7'>NM60ND</b>-VB TO220F 品牌：微碧

### 25NM60ND-VB 产品简介25NM60ND-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，采用了 TO220F 封装。它适用于要求较高电压和电流的应用，具有优异的导通电阻和漏极电流

2024-07-10 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：23<b class='flag-s-7'>NM60ND</b>-VB TO247 品牌：微碧

### 23NM60ND-VB TO247 产品简介23NM60ND-VB TO247 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术，封装形式为 TO247。具有

2024-07-10 14:54 微碧半导体VBsemi 企业号