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型号：<b class='flag-s-7'>30NM</b>50N-VB TO220F 品牌：微碧

### 一、产品简介**30NM50N-VB**是一款由VBsemi生产的单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该器件具有高漏极电压和低导通电阻的特点，适用于高压、高功率的应用场

2024-11-04 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>30NM</b>50N-VB TO247 品牌：微碧

### 产品简介30NM50N-VB 是一款由 VBsemi 生产的单 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-247 封装。该器件具有 500V 的漏源电压（VDS）和 ±30V 的栅源电压

2024-11-04 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：1550<b class='flag-s-7'>nm</b>-SOA-chip 品牌：

 1550nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1550nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片是一款高增益、高功率、低偏振损耗、高消光比的全工艺国产化的

2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>30NM</b>50N-VB TO263 品牌：微碧

### 一、产品简介**产品型号**: 30NM50N-VB**封装类型**: TO263**产品概述**: 30NM50N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有高

2024-11-04 17:30 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>30NM</b>60ND-VB TO247 品牌：微碧

### 产品简介30NM60ND-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-247 封装。具有 650V 的漏源电压（VDS）和 ±30V 的栅源电压（VGS），阈值电压为 3.5V。其导

2024-11-04 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>30NM</b>60N-VB TO247 品牌：微碧

### 一、产品简介**30NM60N-VB**是一款由VBsemi生产的N沟道功率MOSFET，采用TO247封装。它适用于各种高压高电流电力管理应用，特别是在需要高开关频率和低导通电阻的场合。该

2024-11-04 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：JSA-S310G20 品牌：

1310nm SOA半导体光放大芯片COC见合八方1310nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片系列专为高增益，高功率，低偏振和宽谱SOA模块而设计，符合GR-468-

2022-05-25 00:31 天津见合八方光电科技有限公司 企业号

型号：32<b class='flag-s-7'>NM</b>50N-VB TO220 品牌：微碧

### 产品简介32NM50N-VB 是一款由 VBsemi 生产的单 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220 封装。该器件具有 500V 的漏源电压（VDS）和 ±30V 的栅源电压

2024-11-06 13:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：XPD319BP<b class='flag-s-7'>30</b> 品牌：

供应XPD319BP30 单C口充电协议芯片30w，提供XPD319芯片系列规格书，广泛应用于AC-DC适配器、车载充电器等设备提供高性价比的 USB Type-C 端

2023-05-29 14:23 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：MADP-04002B-<b class='flag-s-7'>NM</b>402T 品牌：

MADP-04002B-NM402T轴向引线 PIN 二极管HIPAX 系列 PIN 二极管设计用于需要高功率处理和低失真的开关和衰减器应用。这些二极管包含一个完全钝化的 PIN 二极管芯片，可实现

2023-03-09 12:46 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号