采用PowerPAK SC-75封装的额定电压8～30V的P通道功率MOSFET 这些p 通道功率 MOSFET
2008-08-23 15:08
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III
2012-02-20 08:34
AW2K21是一款同时实现了超小型封装和超低导通电阻的30V耐压Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET电路源极的共源电路，不仅能以一体化封装实现双向电路保护，还可以通过改变引脚连接来作为单
2025-04-17 14:55
描述 NP30P03D6采用先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON)，本设备适合使用 作为负载开关或PWM应用。 一般特征 VDS = -30v, id = -30a RDS(上)(Typ
2022-07-19 09:28
PowerPAIR® 3x3FS封装，30V对称双通道MOSFET
2023-02-06 15:34
恩智浦发布业界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC 中国上海，2010年12月6日讯--恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.
2010-12-19 10:36
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封装,P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充
2010-09-20 08:59
描述 NP9P03G采用了先进的沟槽技术 设计为低栅极提供优良的RDS(ON) 电荷。它可以用于各种各样的 应用程序。 一般特征 VDS = -30v, id = -30a RDS(上)(Typ
2022-07-20 11:10
