日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICR
2012-02-20 08:34
描述 NP30P03D6采用先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON)，本设备适合使用 作为负载开关或PWM应用。 一般特征 VDS = -30v, id = -30a
2022-07-19 09:28
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封装,P沟道
2010-09-20 08:59
采用PowerPAK SC-75封装的额定电压8～30V的P通道功率MOSFET 这些p 通道功率 MOSFET
2008-08-23 15:08
描述 NP50P03D6采用先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON)，本设备适合使用 作为负载开关或PWM应用。 一般特征 VDS = -30v, id = -50a RDS(上)(Typ
2022-07-13 11:18
描述 NP50P03D6采用先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON)，本设备适合使用 作为负载开关或PWM应用。 一般特征 VDS = -30v, id = -50a RDS(上)(Typ
2022-07-18 14:59
NP30P10G(100V P沟道增强模式MOSFE)
2022-07-14 09:53
