MOSFET 切换高于5V 的电压，则需要另一个晶体管（某种晶体管）来打开和关闭它。P 沟道场效应管P
2023-02-02 16:26
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8脚贴片封装，实为一只复合MOSFET，内含一只P沟道和N沟道场效应管，
2021-04-06 06:53
栅极电压低于10V时，二极管电压钳位于各种漏极电流水平。在非线性曲线中见到的弯曲是二极管和欧姆区之间的转变点。图6：施加栅极电压时，N沟道MOSFET工作在第三象限的典
2018-03-03 13:58
，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施
2021-04-09 09:20
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟
2021-03-02 08:40
，增强型MOSFET分为P沟道增强型和N沟道增强型，耗尽型MOSFET分为P
2022-09-27 08:00
、隔离变压器和整流电路，即可实现 6~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率1~2W 的隔离电源。VPS8701B 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个
2023-03-21 15:24
我有一个30V，10mA的电源，需要反转极性，时间需要用PIC来控制。我看了一些H桥，但是我看到MOSFET的高Gs电压差因为30V的问题。使用晶体管看起来更好。我看了一些马达驱动器，但不
2019-03-21 10:00
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率
2019-07-09 17:30
我想知道STL62P3LLH6 P沟道MOSFET的安全工作区图表是否正确http://www.st.com/web/en/resource/technical/doc
2019-07-29 12:23
