我有一个30V，10mA的电源，需要反转极性，时间需要用PIC来控制。我看了一些H桥，但是我看到MOSFET的高Gs电压差因为30V的问题。使用晶体管看起来更好。我看了一些马达驱动器，但不
2019-03-21 10:00
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8脚贴片封装，实为一只复合MOSFET，内含一只P沟道和N沟道场效应管，如下图所示，其最大漏源电流Idsm为7A，最大漏
2021-04-06 06:53
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管
2021-03-08 16:42
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道
2023-02-02 16:26
子的欧姆区域（ohmic region），MOSFET“完全导通”。在对比图中，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是
2018-03-03 13:58
，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施
2021-04-09 09:20
、隔离变压器和整流电路，即可实现 6~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率1~2W 的隔离电源。VPS8701B 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个
2023-03-21 15:24
铨力授权一级代理商 AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET 描述： AP2222D采用先进的沟槽技术 可提供出
2024-10-08 11:34
利用AD5522怎么设计一个正负30V的PPMU? AD5522输出电压最大只能输出正负11V左右。但我们客户的需求是30V的。不知道用AD5522能否设计出30V的p
2023-11-16 07:09
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21
