日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICR
2012-02-20 08:34
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封装,P沟道
2010-09-20 08:59
NX7011采用先进的沟槽技术，提供了出色的RDS(ON)和较低的栅极电荷。该器件具有两个独立的MOSFET且漏源导通电阻低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型产品的应用。在性能上，
2025-03-26 15:33 深圳市纳祥科技有限公司 企业号
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38
带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET(ON) 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道
2010-04-10 10:32
安森美推出带集成肖特基二极管的30V 扩充N沟道功率MOSFET 安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率
2010-04-12 10:23
描述 NP30P03D6采用先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON)，本设备适合使用 作为负载开关或PWM应用。 一般特征 VDS = -30v, id = -30a
2022-07-19 09:28
