MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子
2018-03-09 14:28
模式时停止整个电路，将消耗电流控制在0.1μA以下(TYP.)。最大负载电流可从50mA或200mA中任选一个。icro DC/DC）XCL210系列是低消耗型的降压mi
2018-09-21 15:06
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200
2018-08-20 17:26
借助 n 沟道和 p 沟道 MOSFET，您可以轻松地实现单刀双掷 （SPDT） 开关，以隔离电路的一部分，并在电路其余
2023-05-31 17:49
本应用笔记解释了如何将RS-232收发器和几个外部元件组合在一起，以产生高达±30V的电源轨。设计中采用MAX202收发器。
2023-02-14 10:23
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N
2023-04-13 09:40
每个 MOSFET 数据手册都包含一个 SOA 图，该图描述了 MOSFET 暴露于特定电压和电流的最长时间。图1显示了恩智浦半导体数据手册中PSMN1R5-30BLE 30V
2023-01-04 15:08
功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N
2024-10-30 15:24
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56
