带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET(ON) 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充
2010-04-10 10:32
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiS
2024-03-12 10:38
安森美推出带集成肖特基二极管的30V 扩充N沟道功率MOSFET 安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N
2010-04-12 10:23
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET
2023-11-09 17:39
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N
2023-11-08 16:22
了适用于头灯控制开关等车载小型设备的N沟道30V MOSFET器件——SSM6K809R，该器件通过东芝新型工艺技术设计把设备功耗深度压缩。
2022-08-26 11:01
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III
2012-02-20 08:34
中国上海， 2023 年 11 月 7 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极
2023-11-09 15:19
恩智浦发布业界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC 中国上海，2010年12月6日讯--恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.
2010-12-19 10:36
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封装,P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充
2010-09-20 08:59
