30 V、双 N 沟道沟槽 MO
2023-03-03 19:36
东芝新一代功率MOSFET产品帮助设计者降低各种电源管理电路的损耗及缩小板子的空间，包含直流-直流转换器的high side 及low side开关，以及交流-直流设计中的二次侧同步整流。此技术也适合马达控制及锂电池电子设备中的保护模组。
2019-08-02 08:07
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管
2021-03-08 16:42
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8脚贴片封装，实为一只复合MOSFET，内含一只P沟道和N沟道场效应管，如下图所示，其最大漏源电流Idsm为7A，最大漏
2021-04-06 06:53
N8322 是一款可驱动高端和低端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。LN8322 内部集成欠压锁死电路可以确保
2022-01-12 13:39
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率
2019-05-10 06:46
℃STH4612SP完美替代安森美EFC4612R双N沟道功率MOS，24V6A，内阻45mΩSTH4618SP完美替代安森美EFC4618R
2021-07-21 17:09
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟
2019-05-14 09:23
RDS（ON）MOSFET。 AON7804非常适合用于紧凑型DC / DC转换器应用。推荐产品：AON7804AOS其它相关产品请 点击此处 了解特性：V[sub]DS[/sub]=30VI[sub
2019-07-22 09:31
