为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道
2023-02-02 16:26
，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施
2021-04-09 09:20
子的欧姆区域（ohmic region），MOSFET“完全导通”。在对比图中，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是
2018-03-03 13:58
铨力授权一级代理商 AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET 描述： AP2222D采用先进的沟槽技术 可提供出
2024-10-08 11:34
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8脚贴片封装，实为一只复合MOSFET，内含一只P沟道和N沟道场效应管，如下图所示，其最大漏源电流Idsm为7A，最大漏
2021-04-06 06:53
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管
2021-03-08 16:42
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟
2021-03-02 08:40
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-
2018-12-05 10:04
我有一个30V，10mA的电源，需要反转极性，时间需要用PIC来控制。我看了一些H桥，但是我看到MOSFET的高Gs电压差因为30V的问题。使用晶体管看起来更好。我看了一些马达驱动器，但不
2019-03-21 10:00
