Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGC8595-300B-R 是一款射频晶体管,频率为 8.5 至 9.5 GHz,功率为 53.71 至 54.31
2022-09-09 14:32 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGC0910-300B-R 是一款射频晶体管,频率为 9 至 10 GHz,功率为 53.71 至 54.31 dBm
2022-09-09 14:29 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGC1011-300B-R 是一款射频晶体管,频率为 9.8 至 10.5 GHz,功率为 53.42 至
2022-09-09 14:34 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介B300NH02L-VB 是一款高性能单通道 N 沟道 MOSFET,封装类型为 TO263。该 MOSFET 能承受高达 30V 的漏源电压,并且支持最大 150A 的漏极电流
2025-01-07 14:30 微碧半导体VBsemi 企业号