{"error":{"root_cause":[{"type":"query_shard_exception","reason":"failed to create query: {\n \"regexp\" : {\n \"keyword\" : {\n \"value\" : \".*3 V高级引导闪速存储器28F160B3技术资料更新(199.*\",\n \"flags_value\" : 65535,\n \"max_determinized_states\" : 10000,\n \"boost\" : 1.0\n }\n }\n}","index_uuid":"SON-ziQURzKK3JljPlVlCQ","index":"recommend_keyword_search_v1"}],"type":"search_phase_execution_exception","reason":"all shards failed","phase":"query","grouped":true,"failed_shards":[{"shard":0,"index":"recommend_keyword_search_v1","node":"-Gn7X2aRSFmN2hMyaNEUCA","reason":{"type":"query_shard_exception","reason":"failed to create query: {\n \"regexp\" : {\n \"keyword\" : {\n \"value\" : \".*3 V高级引导闪速存储器28F160B3技术资料更新(199.*\",\n \"flags_value\" : 65535,\n \"max_determinized_states\" : 10000,\n \"boost\" : 1.0\n }\n }\n}","index_uuid":"SON-ziQURzKK3JljPlVlCQ","index":"recommend_keyword_search_v1","caused_by":{"type":"illegal_argument_exception","reason":"expected ')' at position 34"}}}]},"status":400} 3 V高级引导闪速存储器28F160B3技术资料更新(199-电子发烧友站内搜索
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  • 3 V高级引导存储器28F160B3技术资料更新(199

    The 28F160B3 may contain design defects or errors known as errata which may cause theproduct

    2009-05-19 14:11

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    (Smart VoltageRegulator);另一种方法是通过给控制栅加上负电压(-10V左右),挤出浮置栅中的电荷(负极门擦除法)。各种电压提供方式如图 3 所示。图 4 图示了

    2018-04-10 10:52

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    分割;③以块为单位进行擦除操作;④以页为单位进行编程(写人);⑤页的大小存在尾数(TC28V64 是 528 字节);⑥也存在有坏块(bad block)的产品。以NAND

    2018-04-11 10:11

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    1. TC58V64 的引脚配置TC58V64的引脚配置如图所示。在图中未看到地址引脚,这是因为利用数据输人输出引脚(I/O 1 ~I/O 8 ),能够以时分方式赋予数据。NAND

    2018-04-11 10:10

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    2009-10-10 11:28

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    3D NAND技术资料:器件结构及功能介绍

    2019-09-12 23:02

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    单片机的存储器——几个有关的概念:1、数据存储器——RAM(Random Access Memory)2、程序存储器——ROM(Read Only Memory)3

    2022-01-26 07:30

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    2018-05-17 09:45

  • 格式 - 存储器MT46V16M16CY-5B-K

    :VISHAY集成电路 (IC)MT46V16M16CY-5B-K TR存储器资料PDF/SGS在线询价详细描述RoHS:[/td]标准包装:1,000包装:带卷 (TR)类别:集成电路 (IC)原厂类别

    2012-05-15 21:16

  • STM32F3技术资料

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    2023-09-07 08:04