{"error":{"root_cause":[{"type":"query_shard_exception","reason":"failed to create query: {\n \"regexp\" : {\n \"keyword\" : {\n \"value\" : \".*3 V高级引导闪速存储器28F160B3技术资料更新(199.*\",\n \"flags_value\" : 65535,\n \"max_determinized_states\" : 10000,\n \"boost\" : 1.0\n }\n }\n}","index_uuid":"SON-ziQURzKK3JljPlVlCQ","index":"recommend_keyword_search_v1"}],"type":"search_phase_execution_exception","reason":"all shards failed","phase":"query","grouped":true,"failed_shards":[{"shard":0,"index":"recommend_keyword_search_v1","node":"-Gn7X2aRSFmN2hMyaNEUCA","reason":{"type":"query_shard_exception","reason":"failed to create query: {\n \"regexp\" : {\n \"keyword\" : {\n \"value\" : \".*3 V高级引导闪速存储器28F160B3技术资料更新(199.*\",\n \"flags_value\" : 65535,\n \"max_determinized_states\" : 10000,\n \"boost\" : 1.0\n }\n }\n}","index_uuid":"SON-ziQURzKK3JljPlVlCQ","index":"recommend_keyword_search_v1","caused_by":{"type":"illegal_argument_exception","reason":"expected ')' at position 34"}}}]},"status":400}
The 28F160B3 may contain design defects or errors known as errata which may cause theproduct
2009-05-19 14:11
(Smart VoltageRegulator);另一种方法是通过给控制栅加上负电压(-10V左右),挤出浮置栅中的电荷(负极门擦除法)。各种电压提供方式如图 3 所示。图 4 图示了闪
2018-04-10 10:52
分割;③以块为单位进行擦除操作;④以页为单位进行编程(写人);⑤页的大小存在尾数(TC28V64 是 528 字节);⑥也存在有坏块(bad block)的产品。以NAND闪速
2018-04-11 10:11
1. TC58V64 的引脚配置TC58V64的引脚配置如图所示。在图中未看到地址引脚,这是因为利用数据输人输出引脚(I/O 1 ~I/O 8 ),能够以时分方式赋予数据。NAND闪
2018-04-11 10:10
闪速存储器AT29C040与单片机的接口设计应用
2009-10-10 11:28
3D NAND技术资料:器件结构及功能介绍
2019-09-12 23:02
单片机的存储器——几个有关的概念:1、数据存储器——RAM(Random Access Memory)2、程序存储器——ROM(Read Only Memory)3、
2022-01-26 07:30
目前高级应用要求新的存储器技术能力出现。随着电子系统需要更多的代码和数据,所导致的结果就是对存储器的需求永不停歇。相变存储器
2018-05-17 09:45
:VISHAY集成电路 (IC)MT46V16M16CY-5B-K TR存储器资料PDF/SGS在线询价详细描述RoHS:[/td]标准包装:1,000包装:带卷 (TR)类别:集成电路 (IC)原厂类别
2012-05-15 21:16
•两个I2S:可在SPI2和SPI3外围设备上使用。 •为全双工通信添加了两个I2S扩展。 •单工/或全双工通信(发射机和接收机) •I2S2和I2S3在主配置或从配置中运行。 •支持所有标准音
2023-09-07 08:04